到2025年，电动汽车市场的需求将达到1500万辆，包括插电式混合动力汽车(PHEV)和全电动汽车(EV)[1]。这些车辆中的每一个都将需要车载充电器(OBC)的事实如今正在转变为对此类应用的替代解决方案的需求日益增长，尤其是在功率水平和占地面积方面。
安森美半导体正为应对这一挑战作好准备，并推出了基于三相11 kW车载充电器平台的开发套件。这个新版本是现有车载充电套件产品组合的平台扩展。
有了这一新功能，安森美半导体为OBC解决方案的市场开发套件提供了广泛而独特的价值，它涵盖了交流充电的主流功率水平。
开发套件以及相关的广泛抵押品，引导设计人员和开发人员了解安森美半导体为OBC提供的广泛产品组合。从用于动力总成的SiC MOSFET，SJ MOSFET，IGBT和APM到主系统和辅助电源系统的控制器，CAN通信的收发器以及用于传感的高性能放大器。
三相11 kW车载充电器套件的目的是提供一个环境，可快速利用专有技术并获得有关3-Ph PFC-LLC拓扑的动手经验，以及评估电池的状态。此类应用中SiC功率器件的最新性能。在OBC中实施SiC技术为提高效率和功率密度，加快运行速度，最终减小系统尺寸提供了机会，这对于车辆至关重要。
该板采用模块化方法进行工程设计，带来了简便的可测试性和变量测量的优势，以及探索基于默认配置的不同硬件替代品的可能性。此外，可执行的数字控制和可用的GUI确保了无忧的启动和用户友好的体验，从而加快了评估过程。板上的特色SiC功率器件是1200V，80mΩ的 MOSFET (NVHL080N120SC1)，SiCMOSFET驱动器6A(NCV51705)和650 V，30 A的二极管(FFSH3065B)，可将应用驱动至高效率(>
98.0%， PFC和>
97.0%，LLC)。
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